特許

J-GLOBAL ID：200903044156307028

薄膜半導体装置

発明者： 古里 孝雄 ,  市川 弘明
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-244311
公開番号（公開出願番号）：特開平10-068664
出願日： 1996年08月27日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：

【要約】【課題】 薄膜半導体装置に形成される付加容量の電極構造を改善して集積効率を高める。【解決手段】 薄膜半導体装置は、絶縁膜10を間にして上方に位置する要素電極2及び下方に位置する接地電極9aと該要素電極2に接続する薄膜トランジスタ3との組み合わせを一区画としている。複数の区画を絶縁基板1の上に二次元的に配列して電圧信号の二次元的な処理に用いる。各薄膜トランジスタ3は順次区画毎にオン/オフ動作して対応する要素電極2を選択する。選択された各要素電極2は対応する薄膜トランジスタ3を介して電圧信号の読み取り又は書き込みを順次区画毎に行なう。接地電極9aは一定電位に接地されており、絶縁膜10を介して対向する要素電極2との間で付加容量4を形成し、電圧信号の一時的な保持を可能にする。

請求項（抜粋）：

絶縁膜を間にして上方に位置する要素電極及び下方に位置する接地電極と該要素電極に接続する薄膜トランジスタとの組み合わせを一区画としこれを絶縁基板の上に二次元的に配列して電圧信号の二次元的な処理に用いる薄膜半導体装置であって、各薄膜トランジスタは順次区画毎にオン/オフ動作して対応する要素電極を選択し、選択された各要素電極は対応する薄膜トランジスタを介して電圧信号の読み取り又は書き込みを順次区画毎に行ない、各接地電極は一定電位に接地されており該絶縁膜を介して対向する要素電極との間で付加的な容量素子を形成し該電圧信号の一時的な保持を可能とする薄膜半導体装置。

IPC (3件)：

G01L 5/00 101 ,  H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500

FI (3件)：

G01L 5/00 101 Z ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 622