特許
J-GLOBAL ID：200903044159786318
光起電力素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-283052
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263729
出願日： 1992年10月21日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】平滑な金属層と、テクスチャー構造の透明層からなる、改善された裏面反射層を持つ薄膜半導体太陽電池。【構成】 基板101上に、Si、Cu、Zn、Mnの内少なくとも1種を含むアルミニウム層102を形成し、次いで透明層103を設けてなる少なくともその表面が適当なピッチで凹凸を持つテクスチャー構造となった裏面反射層を形成し、その上に薄膜半導体接合104、透明電極108を形成してなる薄膜半導体太陽電池。薄膜半導体接合の表面は裏面反射層と同等のテクスチャー構造となっていることが望ましい。【効果】 太陽光に対する反射率が高く、且つ光トラップ効果の高い裏面反射層となるため、太陽電池の変換効率が高まる。またアルミニウム原子の透明層さらには半導体層への拡散が少ないので、透明層や薄膜半導体接合の特性の変動が少なく、信頼性が高い。
請求項（抜粋）：
金属層と、該金属層上に透明層と、該透明層上に光電変換を有する半導体層とを有し、前記金属層がシリコン、銅、亜鉛、マンガンのうち少なくとも一つを有するアルミニウムであることを特徴とする光起電力素子。
FI (2件)：
H01L 31/04 M
, H01L 31/04 F
