特許
J-GLOBAL ID：200903044161036512
半導体装置の接合構造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-250373
公開番号（公開出願番号）：特開平8-115947
出願日： 1994年10月17日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：
【要約】【目的】フリップチップ接続時の熱抵抗の低減を図る。【構成】半導体素子11は回路基板15に半田バンプ13で接合されている。バンプ13の周囲は半導体素子と回路基板の接合時またはその後に絶縁膜である酸化膜14が形成されている。半田バンプ13の周囲には熱抵抗を低減する低融点金属17が充填してあり、半導体素子11と回路基板15間の放熱性能を向上させている。【効果】半導体素子11と回路基板15間の空隙をすき間なく熱伝導率の良い材料を充填したために熱抵抗が減少した。
請求項（抜粋）：
半導体素子と,前記半導体素子が搭載される回路基板と,前記基板と前記半導体素子の対向する電極端子間に形成されたバンプと,前記バンプ周囲の空隙部を充填する充填材からなる半導体装置において、前記充填材は導電性材料からなり、前記バンプの表面に絶縁膜が形成されており、前記バンプと前記充填材は前記絶縁膜により電気的に絶縁されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311
, H01L 21/321
