特許
J-GLOBAL ID：200903044163674818
気相成長装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
並川 啓志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-231139
公開番号（公開出願番号）：特開平5-051294
出願日： 1991年08月20日
公開日（公表日）： 1993年03月02日
要約：
【要約】【構成】 反応管内部に被処理基板を設置するサセプタと、該サセプタの外周部に該サセプタより熱伝導率の低い材質からなる緩衝板とを有するようにし、さらに該緩衝板に原料を含まないガスを吹き付けるようにした気相成長装置。【効果】 エピタキシャル薄膜の膜厚および膜質を均一にでき、エピタキシャル薄膜中の組成(濃度)の変化を急峻にできる。
請求項（抜粋）：
反応管内部に被処理基板を設置するサセプタと、該サセプタの外周部に該サセプタより熱伝導率の低い材質からなる緩衝板とを有することを特徴とする気相成長装置。
IPC (2件)：
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