特許

J-GLOBAL ID：200903044167840941

真空蒸着方法

発明者： 柳生 慎悟
出願人/特許権者： 日本ビクター株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-241284
公開番号（公開出願番号）：特開2001-064764
出願日： 1999年08月27日
公開日（公表日）： 2001年03月13日
要約：

【要約】【課題】 精度が良く、良質な薄膜パターンを作製できる真空蒸着方法を提供する。【解決手段】 真空容器2内に基板10を固定する基板ホルダー4と、この基板ホルダー4の基板10側に対向配置されたパターン電極71、72、73を有する加熱源3とを有する真空装置1を用いて、蒸着源を基板10とパターン電極71、72、73に密着させた後、真空容器2内を真空状態にし、加熱源3の温度を蒸着源の蒸発温度以上にして、パターン電極71、72、73に対応する基板10位置にパターン電極71、72、73の一部又は全部と同じ形状の薄膜パターン111、112、113を形成する。

請求項（抜粋）：

真空容器内に基板を固定する基板ホルダーと、この基板ホルダーの前記基板側に間隔を離して対向配置された複数のパターン電極を有する加熱源とを有する真空装置を用いて、蒸着源を前記基板と前記複数のパターン電極に密着させた後、前記真空容器内を真空状態にし、前記加熱源の温度を前記蒸着源の蒸発温度以上にして、前記複数のパターン電極に対応する前記基板位置に前記複数のパターン電極の一部又は全部と同じ形状の薄膜パターンを形成することを特徴とする真空蒸着方法。

IPC (2件)：

C23C 14/04 ,  C23C 14/24

FI (3件)：

C23C 14/04 Z ,  C23C 14/24 S ,  C23C 14/24 V

Fターム (6件)：

4K029BA46 ,  4K029BB03 ,  4K029CA01 ,  4K029DA08 ,  4K029DB17 ,  4K029KA01