特許

J-GLOBAL ID：200903044168790190

半導体装置及びその製造方法あるいはその半導体装置を使用した電子機器

発明者： 加藤 健二 ,  斉藤 豊 ,  新荻 正隆 ,  佐藤 恵二 ,  小島 芳和 ,  小山内 潤
出願人/特許権者： セイコー電子工業株式会社
代理人 (1件)： 林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-215615
公開番号（公開出願番号）：特開平8-335709
出願日： 1995年08月24日
公開日（公表日）： 1996年12月17日
要約：

【要約】【課題】 シリコン基板上のショットキーバリアダイオードをブリッジ型に4つ組み合わせた半導体装置の各ショットキーバリアダイオードの電圧-電流特性における順方向の立ち上がり電圧が大きく、低電圧低消費電力にならず、生産コスが高い。【解決手段】 各ショットキーバリアダイオードをメサ状に形成し、各ショットキーバリアダイオードのショットキー接合部に高抵抗ポリシリコンや10Å以下の酸化膜や複数の中間遷移準位を形成し、ショットキーバリアダイオードに代わってMOSトランジスタを形成した構成とする。半導体装置とアンテナと電源回路とセンサまたはインジゲータまたはメモリからなる装置を構成する

請求項（抜粋）：

支持基板上に電気的に分離した複数の半導体基板を有し、前記半導体基板にショットキー接合と前記ショットキー接合と電気的に接続したオーミック接合を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/872 ,  H01L 27/12

FI (3件)：

H01L 29/48 P ,  H01L 27/12 B ,  H01L 29/48 F

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭59-158566
  
• 特開平2-095266
  
• 特開平3-051733