特許

J-GLOBAL ID：200903044170646137

半導体記憶装置

発明者： 藤田 維明 ,  村上 修二 ,  穴見 健治
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-100075
公開番号（公開出願番号）：特開平5-002895
出願日： 1991年05月01日
公開日（公表日）： 1993年01月08日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】ワード線分割されたSRAMにおいて、ローカルデコーダの構成素子数を低減して、小型化する。【構成】ローカルデコーダLD(2j)、LD(2j+1)は、第1及び第2の選択信号に応答して所定のローカルワード線LWL(2j)、LWL(2j+1)を活性状態又は非活性状態にするよう動作するために、第1の選択信号が活性状態のとき導通して第2の選択信号を所定のローカルワード線に与える。第1のスイッチ手段、及び所定のローカルワード線と非活性状態に対応する電位との間に結合され、第1の選択信号が非活性状態のとき導通する第2のスイッチ手段を備える。

請求項（抜粋）：

第1および第2の選択信号に応答して、所定の選択線を活性状態または非活性状態にするように動作するデコーダを含む半導体記憶装置であって、前記デコーダは、前記第1の選択信号が活性状態のとき導通して、前記第2の選択信号を前記所定の選択線に与える第1のスイッチ手段と、前記所定の選択線と、前記非活性状態に対応する電位との間に結合され、前記第1の選択信号が非活性状態のとき導通する第2のスイッチ手段とを含む、半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 11/418 ,  G11C 11/41

FI (2件)：

G11C 11/34 301 B ,  G11C 11/34 301 E

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭61-188795
  
• 特公昭62-028516
  
• 特開昭62-075996