特許

J-GLOBAL ID：200903044170990911

強誘電体メモリ

発明者： 安達 日出夫 ,  中野 洋
出願人/特許権者： オリンパス光学工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-067275
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275711
出願日： 1992年03月25日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】本発明は、大電流容量及び、非線形の大きな電圧電流特性を有し、非選択セルの記憶情報を破壊することなく、選択したセルの読出し・書込みが可能な高密度不揮発性の強誘電体メモリを提供することを目的とする。【構成】本発明は、シリコン基板31の表面を熱酸化した後、下部ストライプ電極44(33a)を形成し、さらに、Ni,Cu,Co,Cr等の上部電極層33bを形成する。そして金属アルコキシド化合物混合液(プリカーサ)を上層に塗布し、熱処理により(Sr1-X CaX )TiO3 +MeOのバリスタ薄膜34が形成される。さらにCu等の上部電極35a、Ptの強誘電体薄膜用電極35bを形成する。次にPb(Zr・Ti)O3 の強誘電体薄膜36を形成し、最上層に強誘電体薄膜用電極37のPt層を形成し、Al上部ストライプ電極43とで構成された強誘電体メモリである。

請求項（抜粋）：

強誘電体薄膜と、前記強誘電体薄膜の一方の主面上に形成された中間電極と、前記中間電極上に形成されたチタン酸ストロンチウム(SrTiO3 )もしくは、SrTiO3 のSrの一部をCaで置換した(Sr1-X CaX )TiO3 のいずれ一方を主成分として、添加することによりドナーを発生する添加物を加えた組成の非線形電圧電流特性を有する多結晶薄膜と、前記強誘電体薄膜の他方の主面上に形成された上部ストライプ電極と、前記多結晶薄膜の非接合側主面上に、前記上部ストライプ電極と互いに直交するように形成されたMe-Tiからなる下部ストライプ電極とを具備することを特徴とする強誘電体メモリ。

IPC (3件)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434