特許
J-GLOBAL ID：200903044172960246
薄膜磁気ヘッドの製造方法および磁気抵抗効果装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
星宮 勝美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-261500
公開番号（公開出願番号）：特開2001-084535
出願日： 1999年09月16日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：
【要約】【課題】 磁気抵抗素子に接続された導電層とシールド層との電気的短絡を防止できるようにする。【解決手段】 薄膜磁気ヘッドは、再生ヘッドと記録ヘッドとを備えている。再生ヘッドは、GMR素子5と、GMR素子5をシールドするための下部シールド層3および上部シールド層8と、GMR素子5に接続された導電層6と、シールド層3,8の間に形成されたシールドギャップ膜4a,4b,7a,7bを備えている。GMR素子5を構成する複数の層5a〜5cはシールドギャップ膜4aの上に形成され、反応性イオンエッチングによって複数の層5a〜5cの厚み方向の一部がエッチングされ、イオンミリングによって残りの部分がエッチングされて、GMR素子5が形成される。シールドギャップ膜4a上のGMR素子5の周囲にはシールドギャップ膜4bが形成される。
請求項（抜粋）：
磁気抵抗素子と、記録媒体に対向する媒体対向面側の一部が前記磁気抵抗素子を挟んで対向するように配置された、前記磁気抵抗素子をシールドするための第1および第2のシールド層と、前記磁気抵抗素子に接続された導電層と、前記磁気抵抗素子および前記導電層と前記第1のシールド層との間に設けられた第1の絶縁層と、前記磁気抵抗素子の周囲において前記第1の絶縁層と前記導電層との間に配置された第2の絶縁層と、前記磁気抵抗素子および前記導電層と前記第2のシールド層との間に設けられた第3の絶縁層とを備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、前記第1のシールド層を形成する工程と、前記第1のシールド層の上に前記第1の絶縁層を形成する工程と、前記第1の絶縁層の上に前記磁気抵抗素子となる磁気抵抗素子用膜を形成する工程と、前記磁気抵抗素子用膜を選択的にエッチングして前記磁気抵抗素子を形成する工程と、前記第1の絶縁層の上に前記第2の絶縁層を形成する工程と、前記第2の絶縁層の上に前記導電層を形成する工程と、前記磁気抵抗素子、第2の絶縁層および導電層の上に前記第3の絶縁層を形成する工程と、前記第3の絶縁層の上に前記第2のシールド層を形成する工程とを含み、前記磁気抵抗素子を形成する工程は、前記磁気抵抗素子用膜のエッチングすべき部分のうちの厚み方向の一部を、化学的エッチング要素と物理的エッチング要素とを含む第1のドライエッチングを用いてエッチングする第1のエッチング工程と、前記磁気抵抗素子用膜のエッチングすべき部分のうちの残りの部分を、前記第1のドライエッチングよりも物理的エッチングの比率の大きい第2のドライエッチングを用いてエッチングする第2のエッチング工程とを含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (9件)：
5D033AA02
, 5D033BA08
, 5D033BB03
, 5D033DA08
, 5D034BA03
, 5D034BA09
, 5D034BA15
, 5D034BB09
, 5D034DA07
