特許
J-GLOBAL ID：200903044177145044
薄膜絶縁ゲイト型半導体装置およびその作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-348790
公開番号（公開出願番号）：特開平11-284202
出願日： 1990年11月10日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：
【要約】【課題】不純物の拡散を防止し、信頼性の高い薄膜絶縁ゲイト型半導体装置を提供すること。【解決手段】本発明によると、絶縁性基板上に設けられた複数の絶縁膜で構成される絶縁層と、前記絶縁層上に設けられた半導体層と、を有する薄膜絶縁ゲイト型半導体装置において、前記絶縁層の前記半導体層に接する絶縁膜は、リンが1×1019〜5×1020cm-3含まれた酸化珪素膜であることを特徴とする薄膜絶縁ゲイト型半導体装置が提供される。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上に設けられた複数の絶縁膜で構成される絶縁層と、前記絶縁層上に設けられた半導体層と、を有する薄膜絶縁ゲイト型半導体装置において、前記絶縁層の前記半導体層に接する絶縁膜は、リンが1×1019〜5×1020cm-3含まれた酸化珪素膜であることを特徴とする薄膜絶縁ゲイト型半導体装置。
IPC (8件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/283
, H01L 21/316
, H01L 21/322
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 29/78
H01L 29/78 617 S
, H01L 21/283 L
, H01L 21/316 Y
, H01L 21/322 R
, H01L 27/04 C
, H01L 29/78 301 G
, H01L 29/78 626 C
, H01L 29/78 627 G
