特許
J-GLOBAL ID：200903044177365443
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-020977
公開番号（公開出願番号）：特開平5-217937
出願日： 1992年02月06日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】【目的】歩留まり向上および素子の微細化,高集積化を可能とした化合物半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】半絶縁性GaAs基板11にn型チャネル層12を形成し、この上にゲート電極13および側壁絶縁膜15を形成した後、無電解選択メッキ法によってソース,ドレイン領域にAu電極16を形成し、その後Ge+ のイオン注入と熱処理によってAu電極16下にGeドープ層17を形成して、良好なオーミック特性を得る。
請求項（抜粋）：
化合物半導体基板にチャネル層を含む半導体層を形成する工程と、前記半導体層にゲート電極を形成する工程と、前記半導体層のゲート電極を挟むソース,ドレイン領域に無電解メッキ法により選択的にソース,ドレイン電極を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/288
