特許
J-GLOBAL ID：200903044179482102
光電変換装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-058289
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275860
出願日： 1993年03月18日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：
【要約】【目的】 光電変換装置に関し、キャリヤ走行時間の差や接合容量に起因する周波数特性の劣化が小さく、〔GHz〕オーダの周波数帯でも光電変換効率が低下しないようにする。【構成】 n-InP基板11及び光に対して透明なノンドープInP接合容量低減層13及びノンドープInGaAs光吸収層14及び光に対して透明なノンドープInP接合容量低減層15及びp-InPウインドウ領域17を順に積層してなる積層構造を備え、光吸収層14で生成されたキャリヤのうちn-InP基板11に到達する電子の走行時間及びp-InPウインドウ領域17に到達する正孔の走行時間が略一致するよう接合容量低減層13及び15の厚さを定めてある。
請求項（抜粋）：
n型半導体層及び光に対して透明なノンドープの半導体からなる厚さd1 の接合容量低減層及び光吸収層及び光に対して透明なノンドープの半導体からなる厚さd2 の接合容量低減層及びp型半導体層を順に積層してなる積層構造を備え、d1 /Ve =d2 /VpVe :厚さd1 の接合容量低減層を電子が走行する速度Vp :厚さd2 の接合容量低減層を正孔が走行する速度の式を満たす厚さd1 及び厚さd2 を選択してなることを特徴とする光電変換装置。
引用特許：
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