特許

J-GLOBAL ID：200903044179736171

インターポーザーの製造方法

発明者： 石原 政道 ,  辻本 圭一 ,  梅田 和彦 ,  刀根 恵一
出願人/特許権者： 株式会社三井ハイテック
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-158535
公開番号（公開出願番号）：特開2001-339003
出願日： 2000年05月29日
公開日（公表日）： 2001年12月07日
要約：

【要約】【課題】 CSPに使用されるインターポーザーの構造を単純化するとともに、配線パターン表面の平坦度を確保する。【解決手段】 金属箔12と金属層14の間に金属箔12及び金属層14とはエッチング液に対する耐蝕性の異なる導電材層13を形成し、金属層14をエッチングして突起7aを形成して、導電材層13をエッチング除去した後、金属箔12の裏面に絶縁層15を形成し、その後金属箔12の突起7a形成面側をエッチングし、所定の配線パターン7を形成して、更に絶縁層13の所定の個所に配線パターン7の一部が露出する開口部9を形成する。

請求項（抜粋）：

金属箔の表面全面に、金属箔とはエッチング液に対する耐蝕性の異なる材質からなる導電材層を形成する工程と、導電材層上に、導電材層とはエッチング液に対する耐蝕性が異なる材質からなる金属層を形成する工程と、金属層をエッチングして所定の突起を形成する工程と、導電材層の不要部分をエッチングにより除去する工程と、金属箔の裏面全面に絶縁層を形成する工程と、金属箔の表面をエッチングし、所定の配線パターンを形成する工程と、絶縁層の所定の個所に配線パターンの一部が露出する開口部を形成する工程とを含むことを特徴とするインターポーザーの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 23/12 ,  H01L 23/14

FI (2件)：

H01L 23/12 L ,  H01L 23/14 M