特許

J-GLOBAL ID：200903044180984790

短絡保護機能付きスイッチング回路及び半導体リレー

発明者： 砂田 卓也
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 西川 惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-326271
公開番号（公開出願番号）：特開2002-135098
出願日： 2000年10月26日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：

【要約】【課題】短絡状態が継続した場合でも素子破壊を防ぐことができる短絡機能付きスイッチング回路を提供することにある。【解決手段】出力分流用MOSFET13は出力用MOSFET3に直列接続された過電流検知用抵抗2に対して並列に電流分流比調整用抵抗7を介して並列接続され、通常時には過電流検知用抵抗2に流れる電流を分流し、過電流検知用MOSFET1がオン状態になった際にオフして、電流分流経路を遮断するようになっている。

請求項（抜粋）：

出力側負荷と出力側電源との直列回路に並列的に接続され、入力信号によりゲート・ソース間が充電されオフ状態から、オン状態へと移行する出力用MOSFETと、該出力用MOSFETと前記直列回路との間に直列挿入された過電流検知用抵抗の両端電圧が所定電圧を越えることによって前記出力用MOSFETのゲート・ソース間の電荷を放電させる過電流検知用MOSFETと、抵抗を介して前記過電流検知用抵抗に並列接続されるとももに、ゲート端子を前記過電流検知用MOSFETのドレイン端子に接続した出力分流用MOSFETとを備えたことを特徴とする短絡保護機能付きスイッチング回路。

IPC (4件)：

H03K 17/08 ,  G05F 1/10 304 ,  H02H 3/087 ,  H03K 17/687

FI (4件)：

H03K 17/08 C ,  G05F 1/10 304 M ,  H02H 3/087 ,  H03K 17/687 A

Fターム (40件)：

5G004AA04 ,  5G004AB02 ,  5G004BA03 ,  5G004DA02 ,  5G004DC13 ,  5G004EA01 ,  5H410BB01 ,  5H410BB05 ,  5H410CC02 ,  5H410DD02 ,  5H410EA11 ,  5H410EA32 ,  5H410EB14 ,  5H410EB37 ,  5H410FF05 ,  5H410FF25 ,  5H410LL13 ,  5H410LL15 ,  5H410LL20 ,  5J055AX34 ,  5J055AX64 ,  5J055BX16 ,  5J055CX00 ,  5J055DX13 ,  5J055DX15 ,  5J055DX16 ,  5J055DX22 ,  5J055DX55 ,  5J055DX73 ,  5J055EX30 ,  5J055EY01 ,  5J055EY14 ,  5J055EY21 ,  5J055EY28 ,  5J055FX04 ,  5J055FX09 ,  5J055FX13 ,  5J055FX32 ,  5J055FX37 ,  5J055GX01