特許
J-GLOBAL ID:200903044181278768

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山口 巖
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-185707
公開番号(公開出願番号):特開平8-051169
出願日: 1994年08月08日
公開日(公表日): 1996年02月20日
要約:
【要約】【目的】半導体装置を冷却フィンに取り付けるときに冷却フィンと接触する金属製基板の熱膨張係数が半導体チップあるいはそれとの間に挿入される絶縁基板の熱膨張係数と異なることによって起こる故障を防ぐ。【構成】従来の金属製基板に用いられていた銅より弾性係数の大きい鋼を基板材料とすることにより、熱応力による基板の変形を小さくする。あるいは熱膨張係数の極小のアンバーと銅との貼り合わせ板を金属製基板に用いることにより、半導体チップあるいは絶縁基板との熱膨張係数の差を小さくする。
請求項(抜粋):
半導体素体を支持する金属製基板が半導体素体を収容する容器の下面に露出するものにおいて、金属製基板が鋼よりなることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
H01L 23/12 ,  H01L 23/373
FI (2件):
H01L 23/12 J ,  H01L 23/36 M

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