特許
J-GLOBAL ID：200903044181720770
不揮発性メモリセル
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-264518
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120511
出願日： 1992年10月02日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：
【要約】【目的】 側壁蓄積型不揮発性メモリセルの蓄積電荷容量の増大及び読みだし速度劣化防止。【構成】 P型シリコン基板11に形成されたソース24とドレイン25間に厚い熱酸化膜12を介してコントロールゲート電極14を設け、ソース24及びドレイン25の少なくとも一方の上部に薄い熱酸化膜15を介してフローティングゲート電極17が形成されて成る不揮発性メモリセル。【効果】 高濃度不純物領域上部の絶縁膜と高濃度不純物間半導体基板上部の絶縁膜の厚さをかえることにより、側壁蓄積型不揮発性メモリセルの書き込み、読みだし、消去のための電気的制御を単純化し、かつ、フローティングゲート電極への注入及び放出電荷を精度良く制御することができる。また、高濃度不純物領域からのトンネル電流は制御電極内には注入されず、MOSFET特性は劣化しない。
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体基板に、第2導電型の一対の高濃度不純物領域と、上記不純物領域上に薄い絶縁膜を介してフローティングゲート電極を設け、上記一対の高濃度不純物領域間に上記第1導電型半導体基板と厚い絶縁膜を介して、制御電極が形成されていることを特徴とする不揮発性メモリセル。
IPC (2件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
