特許
J-GLOBAL ID:200903044183866632

蛍光体およびその製造方法ならびに発光装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (6件): 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-268202
公開番号(公開出願番号):特開2006-083259
出願日: 2004年09月15日
公開日(公表日): 2006年03月30日
要約:
【課題】 簡便な製造方法で発光効率が高く信頼性に優れた蛍光体およびその製造方法ならびに発光装置を提供する。【解決手段】 III族窒化物半導体からなる母体半導体11が、III族窒化物半導体のバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有する酸化物からなる外層13により被覆されている蛍光体。ここで、上記母体半導体11には、発光中心12を添加することができる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
III族窒化物半導体からなる母体半導体が、前記III族窒化物半導体のバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有する酸化物からなる外層により被覆されている蛍光体。
IPC (3件):
C09K 11/08 ,  C09K 11/62 ,  H01L 33/00
FI (6件):
C09K11/08 G ,  C09K11/08 A ,  C09K11/08 J ,  C09K11/62 ,  H01L33/00 C ,  H01L33/00 N
Fターム (18件):
4H001CA02 ,  4H001CC04 ,  4H001CC14 ,  4H001CF01 ,  4H001XA07 ,  4H001XA08 ,  4H001XA31 ,  4H001XA49 ,  4H001YA63 ,  5F041AA03 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041DA12 ,  5F041DA13 ,  5F041DA20 ,  5F041EE25 ,  5F041FF01 ,  5F041FF11
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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