特許

J-GLOBAL ID：200903044187279553

露光マスク形成方法

発明者： 塘 洋一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-255789
公開番号（公開出願番号）：特開平6-083031
出願日： 1992年08月31日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：

【要約】【目的】 中央パターンの周辺に周辺パターンを形成して成る露光マスクの形成について、そのパターンの作成を、数学的な処理(サイジング、演算、シフト等)を行うことで容易に実現できる露光マスク形成方法を提供する。【構成】 孤立コンタクトホール形成用パターン等の中央パターンの周辺にサブシフターパターン等の周辺パターンを形成して成る露光マスクの形成方法において、次の手順によりパターン形成を行う。(I)中央パターンの形状を拡大した第1の拡大パターン及び第2の拡大パターンを発生させる。(II)第1の拡大パターンと第2の拡大パターンの差の部分を第3のパターンとする。(III)第3のパターンを所望形状に整え、周辺パターン形状を形成する。

請求項（抜粋）：

中央パターンの周辺に周辺パターンを形成して成る露光マスクの形成方法において、下記手順によりパターン形成を行うことを特徴とする露光マスク形成方法。(I)中央パターンの形状を拡大した第1の拡大パターン及び第2の拡大パターンを発生させる。(II)前記第1の拡大パターンと第2の拡大パターンの差の部分を第3のパターンとする。(III)前記第3のパターンを所望形状に整え、周辺パターン形状を形成する。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/30 301 P ,  H01L 21/30 311 W