特許

J-GLOBAL ID：200903044188367200

高強度多孔質α-SiC焼結体の製造方法

発明者： 二宮 健
出願人/特許権者： イビデン株式会社
代理人 (1件)： 小川 順三 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-332167
公開番号（公開出願番号）：特開平10-167854
出願日： 1996年12月12日
公開日（公表日）： 1998年06月23日
要約：

【要約】【課題】通気抵抗が小さくかつ均一な気孔径分布を有するハニカムフィルタ用多孔質α-SiC焼結体を提供すること。【解決手段】SiO2含有率が 0.1〜5重量%で平均粒径が 0.3〜50μmのSiC原料粉末に有機樹脂バインダーを添加混合して成形し、その成形体を酸素含有率が1〜10%の気流中において該成形体中の熱分解炭素含有率が 0.5〜5重量%となるように熱分解温度以上に加熱し、その後、その成形体を1500〜2500°Cの非酸化性雰囲気中で焼成する。

請求項（抜粋）：

SiO2含有率が 0.1〜5重量%で平均粒径が 0.3〜50μmのSiC原料粉末と有機樹脂バインダーとを混合して成形し、その成形体を酸素含有率が1〜10%の雰囲気中において該成形体中の熱分解炭素の含有率が 0.5〜5重量%となるように加熱した後、該成形体を1500〜2500°Cの非酸化性雰囲気中で焼成することを特徴とする高強度多孔質α-SiC焼結体の製造方法。

IPC (4件)：

C04B 38/00 304 ,  C04B 35/632 ,  C04B 35/565 ,  C04B 35/638

FI (4件)：

C04B 38/00 304 Z ,  C04B 35/00 108 ,  C04B 35/56 101 S ,  C04B 35/64 301