特許
J-GLOBAL ID：200903044190938673
半導体素子およびその形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-299647
公開番号（公開出願番号）：特開2001-119025
出願日： 1999年10月21日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 α-SiC(0001)Si面にトレンチ構造を形成し酸化した絶縁ゲート型半導体素子は高耐圧を保ってチャンネル領域に効率的に電界を印可することができず、プレーナタイプのチャンネル領域を含む絶縁ゲート型半導体素子を形成するとチャンネル領域にイオン打ち込みの損傷が残り高移動度が実現できない。【解決手段】 n型SiC基板31上に成長させたn型層32と、さらにその上に成長させたp型層33を含み、上記p型層33の一部に例えばイオン打ち込みし熱処理することにより半導体的性質を変化させたn型の部分34が存在し、n型の部分34の少なくとも一部が上記n型層32と電気的に連続であることを特徴とする絶縁ゲート型半導体素子である。
請求項（抜粋）：
少なくとも、基板上に成長させたn型層と、さらにその上に成長させたp型層を含み、上記p型層の一部に例えばイオン打ち込みをすることにより半導体的性質を変化させたn型の部分が存在し、上記n型の部分の少なくとも一部が上記n型層と電気的に連続であることを特徴とする半導体素子。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 29/78 652 J
, H01L 29/78 652 T
, H01L 29/78 658 A
