特許
J-GLOBAL ID：200903044191184877
ヘテロ接合を有する半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-208719
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078664
出願日： 1994年09月01日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：
【要約】【目的】 エネルギ障壁の大きさから決まる電流電圧特性よりも電流密度が小さい特性を有する半導体装置を提供する。【構成】 支持基板と、前記支持基板上に形成された第1の半導体層と、前記第1の半導体層の表面上に形成され、伝導帯のエネルギ準位の下端となる波数ベクトルが、前記第1の半導体層の伝導帯のエネルギ準位の下端となる波数ベクトルと異なる第2の半導体層とを有する。
請求項（抜粋）：
支持基板と、前記支持基板上に形成された第1の半導体層と、前記第1の半導体層の表面上に形成され、伝導帯のエネルギ準位の下端となる波数ベクトルが、前記第1の半導体層の伝導帯のエネルギ準位の下端となる波数ベクトルと異なる第2の半導体層とを有する半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 29/872
H01L 29/80 H
, H01L 29/48 H
, H01L 29/80 B
