特許
J-GLOBAL ID：200903044191318652
化学的自己組織化の方法を利用したカーボンナノチューブパターン形成方法およびカーボンナノチューブ層形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
八田 幹雄
, 野上 敦
, 奈良 泰男
, 齋藤 悦子
, 宇谷 勝幸
, 藤井 敏史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-364879
公開番号（公開出願番号）：特開2004-142097
出願日： 2003年10月24日
公開日（公表日）： 2004年05月20日
要約：
【課題】 所望の部位に選択的に化学的結合力を有するようにして、より容易にカーボンナノチューブパターンを形成する手段を提供し、また、表面接合力に優れたカーボンナノチューブ層を提供する。【解決手段】 表面処理された基材上にフォトリソグラフィ方法によりパターンを形成し、その上に化学的自己組織化の方法を利用してカーボンナノチューブを単層および多層に積層してカーボンナノチューブのパターンを形成させる方法である。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
下記の段階を含むカーボンナノチューブパターン形成方法:
(a)基材を表面処理して表面にアミノ基が露出した基材を提供する段階;
(b)前記基材を、カップリング剤の存在下で、リンカーとして下記化学式(1)のアミノアルキルカルボン酸を用いて処理し、前記基材上のアミノ基と前記アミノアルキルカルボン酸のカルボキシル基との間にアミド結合を形成させる段階;
IPC (2件)：
FI (2件)：
B82B3/00
, C01B31/02 101F
4G146AA11
, 4G146AB10
, 4G146BA04
, 4G146BA42
, 4G146CB16
, 4G146CB35
, 5G323CA04
, 5G323CA05
