特許

J-GLOBAL ID：200903044194506760

炭素又は炭素を主成分とする被膜の作製方法

発明者： 山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-371813
公開番号（公開出願番号）：特開2000-144424
出願日： 1981年09月07日
公開日（公表日）： 2000年05月26日
要約：

【要約】【課題】 絶縁表面上の珪素被膜上に炭素又は炭素を主成分とする被膜を形成する。【解決手段】 炭化水素化物と水素に周波数が2.45GHzのマイクロ波の電磁エネルギーを加えて、炭素同士の共有結合を有せしめ、水素が30モル%以下の炭素又は炭素を主成分とする被膜を形成することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

炭化水素化物と水素に周波数が2.45GHzのマイクロ波の電磁エネルギーを加えて、炭素同士の共有結合を有せしめ、水素が30モル%以下の炭素又は炭素を主成分とする被膜を形成することを特徴とする炭素又は炭素を主成分とする被膜の作製方法。

IPC (3件)：

C23C 16/26 ,  B41J 2/335 ,  C23C 16/511

FI (4件)：

C23C 16/26 ,  C23C 16/511 ,  B41J 3/20 111 F ,  B41J 3/20 111 H

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭55-078524
  
• 特開昭55-161545