接続孔の形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-024145
公開番号（公開出願番号）：特開平11-224876
出願日： 1998年02月05日
公開日（公表日）： 1999年08月17日
要約：

【要約】【課題】接続孔形成のためのレジストパターンをウェットエッチングする際に、接続孔側壁の上層配線層と底面の主配線層との電池効果によって腐食が生じる。【解決手段】アルミニウムからなる主配線層11とTiNからなる上層配線層12とが積層された配線13を絶縁膜14で覆い、絶縁膜14上にレジストパターン15を形成する。レジストパターン15をマスクに用いたドライエッチングによって、上層配線層12に対して主配線層11を選択的に除去する。その後、ウェットエッチングによってレジストパターン15を除去する。次に、絶縁膜14をマスクに用いたドライエッチングによって上層配線層12を除去し、これによって主配線層11に達する接続孔16を形成する。

請求項（抜粋）：

主配線層と当該主配線層とは異なる導電性材料からなる上層配線層とが積層された配線を絶縁膜で覆い、当該絶縁膜及び前記上層配線層に前記主配線層に達する接続孔を形成する方法であって、レジストパターンをマスクに用いたドライエッチングによって、前記上層配線層に対して前記絶縁膜を選択的に除去する第1工程と、ウェットエッチングによって前記レジストパターンを除去する第2工程と、前記絶縁膜をマスクに用いたドライエッチングによって、前記上層配線層を除去する第3工程と、を行うことを特徴とする接続孔の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/3205 , H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/302 G , H01L 21/88 N , H01L 21/90 A

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