特許
J-GLOBAL ID：200903044207436545
結晶ホイスカの制御成長方法と、該方法の尖頭超小型カソード製造への応用
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
越場 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-053380
公開番号（公開出願番号）：特開平5-097598
出願日： 1991年02月25日
公開日（公表日）： 1993年04月20日
要約：
【要約】【目的】 結晶ホイスカの制御成長方法と、該方法の尖頭超小型カソード製造への応用【構成】 開口部5を持つ材料の層が基板表面(111) 上に形成される。各開口部に材料Auが付着される。この材料が液相であるとき、成長させるべき材料Siを吸収することができる。次に、気相で成長が行われる。層の材料は、気相成長の間その表面に成長もしくは核形成が起こらないように選択される。開示された方法は、正確に位置付けされた結晶ホイスカの製造、ならびにチップタイプのマイクロカソードの製造に適用することができる。
請求項（抜粋）：
基板上に、次段階で成長させようとする材料の成長も核形成も起こらない材料の第一層を形成する第一段階と、上記第一層に少なくとも一つの開口部を設ける第二段階と、上記開口部に、液体であれば、成長させるべき材料を溶解または吸収することができる少なくとも一つの材料を選択的に付着させる第三段階と、上記開口部において、ホイスカ状に成長させるべき材料を加熱して気相状態で成長させる第四段階とを含むことを特徴とする結晶ホイスカの制御成長方法。
IPC (3件)：
C30B 29/62
, H01J 1/30
, H01J 9/02
