特許
J-GLOBAL ID：200903044210126905
ヘテロ接合半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-197350
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045368
出願日： 1992年07月24日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：
【要約】【目的】 InGaAsチャネル層とn-InGaPキャリア供給層との間にスペーサ層を介在させた構造を有する高電子移動度トランジスタ(HEMT)において、ヘテロ接合界面に発生する2次元電子ガスの移動度を高める。【構成】 スペーサ層とチャネル層との界面が急峻かつ清浄となるように、ノンドープIn0.2 Ga0.8 Asチャネル層3上にノンドープAl0.2 Ga0.8 Asスペーサ層4を介して、ノンドープInx Ga1-x Pスペーサ層5とn-InxGa1-x Pキャリア供給層6とを形成する(x=0.49または0.45)。
請求項（抜粋）：
GaAs基板上に形成されたノンドープのInGaAsからなるチャネル層と、前記チャネル層に接するように形成されたノンドープのAlGaAsからなる最下層を少なくとも有するスペーサ層と、前記スペーサ層上に形成されたn型のInGaPからなるキャリア供給層とを備えたことを特徴とするヘテロ接合半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
