特許

J-GLOBAL ID：200903044211747261

誘電体セラミック組成物および積層セラミックコンデンサ

発明者： 中村 友幸 ,  畠 宏太郎 ,  佐野 晴信
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 小柴 雅昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-357050
公開番号（公開出願番号）：特開2002-164247
出願日： 2000年11月24日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：

【要約】【課題】 還元性雰囲気中での焼成によって得られる積層セラミックコンデンサの誘電体セラミック層を構成するのに適した誘電体セラミック組成物であって、薄層化しても、容量温度変化率が低く、高温高電圧負荷時の寿命が長く、直流電圧印加下での静電容量の経時変化が小さく、信頼性に優れたものを提供する。【解決手段】 100BaTiO<SB>3 </SB>+a{(1-b)R+bV}+cM(Rは、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、YbおよびLuのうちの少なくとも1種の元素を含む化合物、Vは、V元素を含む化合物、Mは、Mn、Ni、Mg、FeおよびZnから選ばれる少なくとも1種の元素を含む化合物)において、1.25≦a≦8.0、0<b≦0.2、1.0<c≦6.0、a/c>1.1の関係を満足する、主成分と添加成分とを含み、さらに焼結助剤を含む、誘電体セラミック組成物。

請求項（抜粋）：

ペロブスカイト構造を有する一般式:ABO<SB>3 </SB>(ただし、Aは、Ba、またはBaならびにその一部が置換されたSrおよびCaの少なくとも1種であり、Bは、Ti、またはTiならびにその一部が置換されたZrおよびHfの少なくとも1種である。)で表わされる主成分と、一般式:a{(1-b)R+bV}+cM(ただし、Rは、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、YbおよびLuから選ばれる少なくとも1種の元素を含む化合物であり、Vは、V元素を含む化合物であり、Mは、Mn、Ni、Mg、FeおよびZnから選ばれる少なくとも1種の元素を含む化合物であり、a、bおよびcは、各前記化合物中に前記元素が1元素含まれる化学式に換算したときのモル値をそれぞれ示す。)で表わされる添加成分とを含有し、前記主成分と前記添加成分とを、一般式:100ABO<SB>3 </SB>+a{(1-b)R+bV}+cMで表わしたとき、1.25≦a≦8.00<b≦0.21.0<c≦6.0a/c>1.1の関係を満足し、さらに、焼結助剤を含有することを特徴とする、誘電体セラミック組成物。

IPC (2件)：

H01G 4/12 358 ,  H01G 4/12 361

FI (2件)：

H01G 4/12 358 ,  H01G 4/12 361

Fターム (8件)：

5E001AB03 ,  5E001AC09 ,  5E001AE00 ,  5E001AE01 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AE04 ,  5E001AF06

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 誘電体磁器組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-324694   出願人：松下電器産業株式会社
• 誘電体磁器組成物の製造方法と誘電体層含有電子部品の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-048556   出願人：ティーディーケイ株式会社