特許
J-GLOBAL ID：200903044216522713

半導体コンポーネント部品中の製造エラーの位置を検出する方法および装置

発明者：
ヘニング・ナーゲル

ヘニング・ナーゲル について


出願人/特許権者：
ショット・ゾラール・ゲーエムベーハー

ショット・ゾラール・ゲーエムベーハー について


代理人 (12件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  砂川 克 ,  橋本 良郎 ,  風間 鉄也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-224893
公開番号（公開出願番号）：特開2007-059907
出願日： 2006年08月22日
公開日（公表日）： 2007年03月08日
要約：
【課題】簡単な方法により、半導体コンポーネント部品に損傷を与えることなく、製造エラーの位置を突止める。【解決手段】半導体コンポーネント部品10中に過剰な電荷キャリアを発生させ、半導体コンポーネント部品10中の電位を決定することによって半導体コンポーネント部品10中の製造エラーの位置を突止める。半導体コンポーネント部品10を損傷させずに簡単な方法により製造エラーの位置を突止めるために、半導体コンポーネント部品10が刺激されてルミネセンス状態になるようにされ、また、局地化された解像されたルミネセンス強度分布が決定されて半導体コンポーネント部品10中の電位の局地化された解像された分布が決定される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体コンポーネント部品中に過剰の電荷キャリアを生成し、前記半導体コンポーネント部品中の電位を決定することによって半導体コンポーネント部品中の製造エラーの位置を決定する方法において、 半導体コンポーネント部品は刺激を受けてルミネセンス状態とされ、局地的に解像されたルミネセンス強度分布が決定されて半導体コンポーネント部品中の電位分布が決定されることを特徴とする方法。
IPC (2件)：
H01L 31/04 ,  G01R 31/26
FI (2件)：
H01L31/04 K ,  G01R31/26 F
Fターム (15件)：
2G003AA06 ,  2G003AE01 ,  2G003AF00 ,  2G003AG03 ,  2G003AG06 ,  2G003AH04 ,  2G003AH07 ,  2G003AH10 ,  5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051CB20 ,  5F051GA04 ,  5F051HA03 ,  5F051KA09 ,  5F051KA10
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • US-B-6,750,662号明細書、
  • US-A-4,967,152号明細書、
  • EP-A-0,216,077号明細書、
審査官引用 (1件)
  • 特開昭63-119541
引用文献：
審査官引用 (3件)
  • Applied Physics Letters, 2005, Vol.86, p.262108
  • Applied Physics Letters, 2005, Vol.86, p.262108
  • Applied Physics Letters, 2005, Vol.86, p.262108

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