特許
J-GLOBAL ID：200903044217308510
液晶ディスプレイ駆動用薄膜トランジスタ
発明者：
,
,
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-063164
公開番号（公開出願番号）：特開平5-265043
出願日： 1992年03月19日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：
【要約】【目的】液晶ディスプレイ駆動用薄膜トランジスタの大型化,高精細化に向けゲート遅延の改善と歩留まりの向上を目的にヒロック発生防止,陽極酸化Al2O3中のボイド低減、さらには腐食のない低抵抗Al合金配線を開発した。【構成】ガラス基板1上Al-Pd-Si合金膜から成るゲート配線2、その上部に陽極酸化によって形成されたAl2O3膜3、パッシベーションSiN膜4、その上部にCVDによって形成されたアモルファスSi5、n+ 型アモルファスSi6、Al-Pd-Si合金データ配線7、その上部のパッシベーションSiN膜8から構成される。【効果】薄膜トランジスタ用ゲート配線の低抵抗化,高信頼化が達成される。
請求項（抜粋）：
ゲート配線及びデータ配線を具備する液晶ディスプレイ駆動用薄膜トランジスタにおいて、前記ゲート配線及びデータ配線の少なくとも1つがAl合金膜,Al膜上のAl2O3及びプラズマSiNから成り前記Al合金膜上の突起の高さはAl2O3の厚さ以下であり、しかもAl2O3は無孔質であることを特徴とする液晶ディスプレイ駆動用薄膜トランジスタ。
IPC (2件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/1343
