特許
J-GLOBAL ID：200903044219322405
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-388758
公開番号（公開出願番号）：特開2002-190578
出願日： 2000年12月21日
公開日（公表日）： 2002年07月05日
要約：
【要約】【課題】 高密度大容量化に適したキャパシタ構造を得ることを可能にする。【解決手段】 半導体基板上に形成された第1の電極4と、この第1の電極上に形成された第1の強誘電体層6と、この第1の強誘電体層上に形成された第2の電極8と、この第2の電極上に形成された第2の強誘電体層10と、この第2の強誘電体層上に形成された第3の電極12とを有する強誘電体キャパシタ1を備えたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された第1の電極と、この第1の電極上に形成された第1の強誘電体層と、この第1の強誘電体層上に形成された第2の電極と、この第2の電極上に形成された第2の強誘電体層と、この第2の強誘電体層上に形成された第3の電極とを有する強誘電体キャパシタを備えたことを特徴とする半導体装置。
Fターム (15件)：
5F083FR02
, 5F083GA06
, 5F083GA21
, 5F083JA15
, 5F083JA36
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA43
, 5F083MA06
, 5F083MA17
, 5F083NA08
, 5F083PR22
, 5F083PR34
, 5F083PR40
