特許
J-GLOBAL ID：200903044220267230
マスク製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-239240
公開番号（公開出願番号）：特開平5-080489
出願日： 1991年09月19日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：
【要約】【構成】位相シフトマスクの製造方法において、基板上に所定の遮光パタンをもつ遮光膜を形成する工程1と、基板上に放射線感応材料よりなる膜層を形成する工程2と、透過パタンの種類に対する放射線感応材料の塗布膜厚に関する情報に基づいて、形成されるパタンの膜厚が透過パタンの種類によらず透過パタン内で一定になるように活性化学線の照射量を決定する工程3と、照射量を用いて膜層上に所定のパタン状に活性化学線を照射する工程4と、膜層を現像して所定の位相シフタパタンを形成する工程5とを含む。【効果】基板凹凸によって位相シフタ膜厚が基板上でばらつくことなく、位相シフタ膜厚を最適値に制御して位相シフタパタンを形成することができる。
請求項（抜粋）：
投影光学系を用いてマスクパタンを基板上に投影露光する際に用いられる所定の透過パタンと透過光に位相差を与えるための位相シフタパタンをもつ位相シフトマスクの製造方法において、前記基板上に所定の前記透過パタンをもつ遮光膜を形成する工程と、前記基板上に放射線感応材料よりなる膜層を形成する工程と、前記透過パタンの種類に対する前記放射線感応材料の塗布膜厚に関する情報に基づいて、形成されるパタンの膜厚が前記透過パタンの種類によらず前記透過パタン内で一定になるように活性化学線の照射量を決定する工程と、前記照射量を用いて前記膜層上に所定のパタン状に前記活性化学線を照射する工程と、前記膜層を現像して所定の位相シフタパタンを形成する工程とを含むことを特徴とするマスク製造方法。
IPC (2件)：
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