特許
J-GLOBAL ID：200903044229794712
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-266955
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120211
出願日： 1992年10月06日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：
【要約】【目的】半導体装置の微細配線を精度良く形成する。【構成】半導体基板1の表面に形成した膜厚の薄い第1のAl膜3Aとポリシリコン膜4の側壁に、酸化シリコン膜からなるサイドウォール5を形成した後ポリシリコン膜4を除去する。次で第1のAl膜3A上に第2のAl膜3Bを選択成長する。サイドウォールにより選択成長時の横方向への成長を抑え、微細配線の形成が可能となる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に第1の絶縁膜を介して第1の配線材料層および半導体材料層から成る2層膜を形成する工程と、前記2層膜を所望の配線形状にパターニングしたのち全面に第2の絶縁膜を形成する工程と、前記第2の絶縁膜を前記2層膜の表面が表れるまでエッチバックし前記2層膜の側壁に前記第2の絶縁膜からなるサイドウォールを形成する工程と、サイドウォールが形成された前記2層膜の前記半導体材料層のみをエッチングして除去したのち露出した前記第1の配線材料層の表面に第2の配線材料層を選択的に成長させる工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
FI (2件)：
H01L 21/88 C
, H01L 21/88 N
