プラズマ処理装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田幸彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-311624
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163462
出願日： 1992年11月20日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：

【要約】【目的】プラズマ処理装置において、均一なμ波プラズマを形成し高周波バイアスを被処理物である基板上で均一にすることにより、生産性の向上を図る。【構成】被加工物である基板7に対向して、基板の加工面より大きな面積を真空中へ露呈して成る対向電極4を設け、μ波を対向電極4の下部外周に設けた石英リング5を介して真空中に導く。基板7及び対向電極7はそれぞれアース電位や高周波電源による高周波を印加することにより、最適なプロセス条件を得る。【効果】本発明によれば、均一なプラズマが得られるとともにバイアス電位が基板7の中で整い、ひいは歩留りが向上し生産性が上がる。

請求項（抜粋）：

マイクロ波を用いてプラズマを生成するマイクロ波プラズマ処理装置において、被処理物である基板より大きな表面積を有する対向電極を、前記基板と対向して設け、前記対向電極をアース電位とし、前記対向電極の下面に配した絶縁物を介してマイクロ波を全周方向から導入することを特徴としたプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/302 , C23C 16/50 , C23F 4/00

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭63-155728
特開平2-005413
特開平4-211118

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