特許
J-GLOBAL ID：200903044239855604
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-232475
公開番号（公開出願番号）：特開平6-084929
出願日： 1992年08月31日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：
【要約】【目的】ベース引出し電極形成の際に、エミッタ拡散層領域形成予定領域のシリコン基板の表面がオーバーエッチングを行った際に削られるのを防止し、エミッタ拡散領域形成予定領域のシリコン基板の表面にダメージを与えることに起因する拡散層リークを大幅に減少させ、トランジスタの歩留りを向上させる。【構成】 エミッタ拡散領域15の形成予定領域のベース引出し電極を第1の導電膜5および第2の導電膜6の2層構造にする。
請求項（抜粋）：
エミッタ電極とベース引出し電極が絶縁膜によって自己整合的に分離されたバイポーラトランジスタを有する半導体装置において、第1の導電膜がシリコン基板上の前記バイポーラトランジスタの外部ベース拡散層領域に接続し、かつ、第2の導電膜が前記第1の導電膜上に少なくとも第1の導電膜より広く延在接続し、前記第1及び前記第2の導電膜が前記バイポーラトランジスタの前記ベース引出し電極として構成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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