半導体試験装置及び半導体集積回路装置の試験方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-227947
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067654
出願日： 1991年09月09日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：

【要約】【目的】本発明は半導体試験装置に関し、信号授受に係わり半導体チップの全パッド電極と試験用プローブ電極との接触のみに依存することなく、該プローブ電極を接触させることが困難なパッド電極については、該パッド電極の信号変化を他の信号伝搬媒体により取得し、LSI装置が高集積化,超微細化した場合であっても、電気的良好な状態で試験をすることを目的とする。【構成】被測定対象16に電子ビーム11aを照射する電子発生源11と、前記電子ビーム11aを偏向する偏向駆動手段12と、前記被測定対象16から帰還する二次電子や反射電子11bを検出する検出手段13と、前記被測定対象16の被試験電極TAに試験用プローブ電極14Aを接触させる電極接触手段14と、前記電子発生源11,偏向駆動手段12,検出手段13及び電極接触手段14の入出力を制御する制御手段15とを具備することを含み構成する。

請求項（抜粋）：

被測定対象(16)に電子ビーム(11a)を照射する電子発生源(11)と、前記電子ビーム(11a)を偏向する偏向駆動手段(12)と、前記被測定対象(16)から帰還する二次電子や反射電子(11b)を検出する検出手段(13)と、前記被測定対象(16)の被試験電極(TA)に試験用プローブ電極(14A)を接触させる電極接触手段(14)と、前記電子発生源(11),偏向駆動手段(12),検出手段(13)及び電極接触手段(14)の入出力を制御する制御手段(15)とを具備することを特徴とする半導体試験装置。

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