特許

J-GLOBAL ID：200903044250288274

不揮発性半導体記憶装置及びこれを用いた電子装置

発明者： 戸田 春希
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-111960
公開番号（公開出願番号）：特開2004-319007
出願日： 2003年04月16日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：

【課題】大きな記憶容量を持って高速読み出しを可能とした不揮発性半導体記憶装置とこれを用いた電子装置を提供する。【解決手段】不揮発性半導体記憶装置は、電気的書き換え可能で不揮発性の複数のメモリセルが配列されたメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイのビット線対に接続されて同時に選択される第1及び第2のメモリセルにより構成されるペアセルに、各メモリセルが設定されるべきM個のしきい値レベルのなかで第1及び第2のメモリセルの間の異なる二つのしきい値レベルの組として定義されるM値データ(但し、Mは4以上の整数)を書き込み、前記第1及び第2のメモリセルのセル電流差を検出して前記ペアセルのM値データを読み出すセンスアンプ回路と、前記メモリセルアレイの書き込み及び読み出しの制御を行うコントローラとを有する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

電気的書き換え可能で不揮発性の複数のメモリセルが配列されたメモリセルアレイと、 前記メモリセルアレイのビット線対に接続されて同時に選択される第1及び第2のメモリセルにより構成されるペアセルに、各メモリセルが設定されるべきM個のしきい値レベルのなかで第1及び第2のメモリセルの間の異なる二つのしきい値レベルの組として定義されるM値データ(但し、Mは4以上の整数)を書き込み、前記第1及び第2のメモリセルのセル電流差を検出して前記ペアセルのM値データを読み出すセンスアンプ回路と、 前記メモリセルアレイの書き込み及び読み出しの制御を行うコントローラと、を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (5件)：

G11C16/04 ,  G06K19/07 ,  G11C16/02 ,  G11C16/06 ,  H04N5/907

FI (9件)：

G11C17/00 623Z ,  H04N5/907 B ,  G11C17/00 641 ,  G11C17/00 611A ,  G11C17/00 611E ,  G11C17/00 622E ,  G11C17/00 634G ,  G11C17/00 634D ,  G06K19/00 N

Fターム (15件)：

5B025AD04 ,  5B025AD06 ,  5B025AE05 ,  5B025AE08 ,  5B035BB09 ,  5B035CA11 ,  5B035CA29 ,  5C052AA17 ,  5C052DD02 ,  5C052EE08 ,  5C052GA02 ,  5C052GB01 ,  5C052GC05 ,  5C052GE06 ,  5C052GE08