特許

J-GLOBAL ID：200903044251582770

シリコン太陽電池セルとその製造方法

発明者： 久松 正
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-013891
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330611
出願日： 1996年01月30日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【課題】 耐放射線性が改善された宇宙用Si太陽電池セルを提供する。【解決手段】 p型シリコン基板(1)と、その基板の第1主面側に形成されたn型拡散層(2)と、基板(1)の第2主面側でSi原子より大きな原子半径を有するIII族元素のイオン注入によって形成された高ドーピング濃度のp+ 層(3a)とを含むことを特徴としている。III族元素として、Alを用いることが好ましい。

請求項（抜粋）：

p型シリコン基板と、前記p型基板内においてその第1の主面側に形成されたn型拡散層と、前記p型基板内においてその第2の主面側でAlのイオン注入によって形成された高ドーピング濃度のp+ 層とを含むことを特徴とするシリコン太陽電池セル。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/322

FI (2件)：

H01L 31/04 A ,  H01L 21/322 J

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-131070
  
• 宇宙用シリコン太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-320617   出願人：シャープ株式会社, 宇宙開発事業団
• 特開昭53-091687