特許

J-GLOBAL ID：200903044253956898

半導体製造装置及び半導体製造方法

発明者： 藤間 俊央
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 田辺 恵基
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-099326
公開番号（公開出願番号）：特開平9-266146
出願日： 1996年03月28日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：

【要約】【課題】本発明は半導体製造装置に関し、次ロツトの露光動作パラメータに係わらず、簡易な構成で容易に次ロツトウエハの待機処理を行い、連続ロツト処理時のロツト間隙時間を短くして全体の処理時間を短くし得るようにする。【解決手段】現ロツトのウエハに対して露光処理を行つているときに次ロツトのウエハをユーザが指定した任意の待機位置に待機させるようにしたことにより、従来のように次ロツトの露光動作パラメータが無くても次ロツトウエハの待機処理を行うことができ、連続ロツト処理時のロツト間隙時間を短くして全体としての処理時間を短くすることができる。かくするにつき次ロツトの露光動作パラメータに係わらず、簡易な構成で容易に次ロツトウエハの待機処理を行い、連続ロツト処理時のロツト間隙時間を短くして全体の処理時間を短くし得る半導体製造装置を実現し得る。

請求項（抜粋）：

ウエハに対してロツト単位で連続的に露光処理を行う半導体製造装置において、現ロツトのウエハに対して露光処理を行つているときに次ロツトのウエハをユーザが指定した任意の待機位置に待機させる待機処理手段を具えることを特徴とする半導体製造装置。