特許
J-GLOBAL ID:200903044254494553
半導体排ガス処理装置の粉塵処理方法とその構造
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
森 義明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-026159
公開番号(公開出願番号):特開2002-228135
出願日: 2001年02月01日
公開日(公表日): 2002年08月14日
要約:
【要約】【課題】 排ガス処理装置における効果的な粉塵除去方法の開発にある。【解決手段】 内部に排ガス分解処理室(1a)が形成された排ガス処理塔本体(3)と、排ガス処理塔本体(3)内に立設され、その先端から排ガス(F)を排ガス分解処理室(1a)内に放出するガス供給パイプ(6)と、前記ガス供給パイプ(6)の周囲に配設された電熱ヒータ部材(7)と、排ガス分解処理室(1a)内の粉塵堆積部位に向かって開口している粉塵除去手段(2)とで構成されたことを特徴とする半導体排ガス処理装置(A)において、粉塵除去手段(2)から排ガス分解処理室(1a)内に間欠的に不活性ガス(I)を噴出させることを特徴とする。
請求項(抜粋):
(a)内部に排ガス分解処理室が形成された排ガス処理塔本体と、(b)排ガス処理塔本体の本体底部に挿通され且つ排ガス処理塔本体内に立設され、その先端から排ガスを排ガス分解処理室内に放出するガス供給パイプと、(c)前記ガス供給パイプの周囲に配設され且つ前記本体底部から立設された電熱ヒータ部材と、(d)排ガス分解処理室内の粉塵堆積部位に向かって開口している粉塵除去手段とで構成されたことを特徴とする半導体排ガス処理装置において、粉塵除去手段から排ガス分解処理室内に間欠的に不活性ガスを噴出させることを特徴とする半導体排ガス処理装置の粉塵処理方法。
IPC (6件):
F23G 7/06 ZAB
, F23G 7/06 104
, B08B 5/02
, B08B 9/08
, F23J 1/00
, F23J 15/08
FI (6件):
F23G 7/06 ZAB D
, F23G 7/06 104
, B08B 5/02 Z
, B08B 9/08
, F23J 1/00 Z
, F23J 15/00 L
Fターム (10件):
3B116AA13
, 3B116AB51
, 3B116BB21
, 3B116BB88
, 3K061ND12
, 3K070DA52
, 3K078AA05
, 3K078BA01
, 3K078BA21
, 3K078CA24
前のページに戻る