特許

J-GLOBAL ID：200903044256175161

半導体装置の製造方法

発明者： 大岩 徳久 ,  堀岡 啓治 ,  有門 経敏
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 木村 高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-274269
公開番号（公開出願番号）：特開平5-114573
出願日： 1991年10月22日
公開日（公表日）： 1993年05月07日
要約：

【要約】【目的】 本発明はAl配線上の絶縁膜に接続孔を形成するに際し、下地のAl配線をエッチングすることなく接続孔を形成することのできる方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明では、Al薄膜上にフッ化物の蒸気圧の高い材料の薄膜を堆積し、この上層に絶縁物を堆積した後、CとFを含むガスを使い、圧力100mmTorr以下で前記材料のエッチング速度がAlのエッチング速度よりも小さくなる範囲でRIEを行ない絶縁膜に接続孔を開孔するようにしている。

請求項（抜粋）：

アルミニウムを主成分とする膜の表面に、フッ化物の蒸気圧の高い材料からなる膜を形成する薄膜形成工程と、この上層に絶縁膜を堆積する絶縁膜堆積工程と、炭素とフッ素を含むガスを用い、圧力100mTorr 以下で前記材料のエッチング速度がアルミニウムのエッチング速度よりも小さくなる範囲で前記絶縁膜を選択的にエッチングすることにより接続孔を開孔する開孔工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/90

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-290153
  
• 特開平3-200330
  
• 特開平1-276643