特許
J-GLOBAL ID：200903044258098725
圧電材料
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
穂上 照忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-235514
公開番号（公開出願番号）：特開平6-087652
出願日： 1992年09月03日
公開日（公表日）： 1994年03月29日
要約：
【要約】【目的】低温焼成が可能でAg-Pd合金のような安価な電極材料と同時に焼成ができ、しかも大きな圧電定数をもつ圧電材料の提供。【構成】組成式 aPb(Mg<SB>1/3</SB>Nb<SB>2/3</SB>)O<SB>3</SB>-bX-cPbTiO<SB>3</SB>-dPbZrO<SB>3</SB> で表される磁器組成物であって、Pbの 0.5〜10原子%がSr、Ba、Ca、La、Pr、Nd、CeおよびSmの中の少なくとも1種で置換されている磁器組成物に、それぞれ5原子%以下のZn、SnおよびBiの中の少なくとも1種以上と5原子%以下のBが添加されていることを特徴とする圧電材料。ただし、上記組成式のXは、Pb(Ni<SB>1/3</SB>Nb<SB>2/3</SB>)O<SB>3</SB>、Pb(Ni<SB>1/3</SB>Sb<SB>2/3</SB>)O<SB>3</SB>、Pb(Ni<SB>1/3</SB>Ta<SB>2/3</SB>)O<SB>3</SB>およびPb(Ni<SB>1/2</SB>W<SB>1/2</SB>)O<SB>3</SB>、の中のいずれか1種、a、b、cおよびdはモル%で、下記の各式を満足する値である。10 <a+b≦55、 0.5 ≦b≦1030 ≦c≦50、 2.5 ≦d≦60a+b+c+d=100
請求項（抜粋）：
組成式 aPb(Mg<SB>1/3</SB>Nb<SB>2/3</SB>)O<SB>3</SB>-bX-cPbTiO<SB>3</SB>-dPbZrO<SB>3</SB> で表される磁器組成物であって、Pbの 0.5〜10原子%がSr、Ba、Ca、La、Pr、Nd、CeおよびSmの中の少なくとも1種で置換されている磁器組成物に、それぞれ5原子%以下のZn、SnおよびBiの中の少なくとも1種以上と5原子%以下のBが添加されていることを特徴とする圧電材料。ただし、上記組成式のXは、Pb(Ni<SB>1/3</SB>Nb<SB>2/3</SB>)O<SB>3</SB>、Pb(Ni<SB>1/3</SB>Sb<SB>2/3</SB>)O<SB>3</SB>、Pb(Ni<SB>1/3</SB>Ta<SB>2/3</SB>)O<SB>3</SB>およびPb(Ni<SB>1/2</SB>W<SB>1/2</SB>)O<SB>3</SB>、の中のいずれか1種、a、b、cおよびdはモル%で、下記の各式を満足する値である。10 <a+b≦55、 0.5 ≦b≦1030 ≦c≦50、 2.5 ≦d≦60a+b+c+d=100
IPC (2件)：
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