特許
J-GLOBAL ID：200903044260091240
バイポーラトランジスタの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-093843
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283541
出願日： 1993年03月30日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：
【要約】【目的】 通常使用されるマスクアライメント法のみによって、フィールド酸化膜とベース領域およびエミッタ領域を自己整合的に形成し、高速で動作するバイポーラトランジスタの製造方法を提供することを目的とする。【構成】 エミッタ領域形成予定部分に窒化膜層酸化膜を形成し、その両側壁部にスペーサを形成し、露出した半導体基板表面にフィールド酸化膜を形成し、スペーサを除去し、スペーサ部直下に、ベース取り出し領域を形成した後、窒化膜酸化膜層を除去した後、窒化膜酸化膜部直下に、真性ベース領域およびエミッタ領域を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板に埋め込み層を形成し、エピタキシャル層を成長させ、素子分離を行ない、コレクタ領域を形成した半導体基板上にバイポーラトランジスタを形成する製造方法において、半導体基板上に第1の窒化膜を形成する工程と、該第1の窒化膜上に酸化膜を形成する工程と、該酸化膜と前記第1の窒化膜をエミッタ電極形成領域以外を除去して、エミッタ形成領域に窒化膜酸化膜層を形成する工程と、該窒化膜酸化膜層および半導体基板上全面に、第2の窒化膜を形成する工程と、 該第2の窒化膜を前記半導体基板表面が露出するまで異方性エッチングにより除去し、前記窒化膜酸化膜層の両側壁部に該第2の窒化膜を残置し、該露出した半導体基板表面を酸化し、フィールド酸化膜を形成する工程と、前記窒化膜酸化膜層の両側壁部に残置した第2の窒化膜を除去し、前記半導体基板表面を露出させる工程と、該露出した半導体基板に、ベース領域を形成する工程と、前記窒化膜酸化膜層および半導体基板上全面に、多結晶シリコン膜を形成する工程と、該多結晶シリコン膜上全面にホトレジストを形成し平坦化した後、該多結晶シリコンおよびホトレジストを非選択エッチングにより除去し、前記窒化膜酸化膜層表面の酸化膜表面を露出させる工程と、該露出した酸化膜のみを除去し、前記第1の窒化膜表面を露出させる工程と、該第1の窒化膜下の半導体基板に、真性ベース領域を形成し、前記ベース領域と接続させる工程と、前記多結晶シリコン膜表面を酸化する工程と、前記第1の窒化膜を異方性エッチングにより除去し、前記半導体基板表面を露出させる工程と、該露出した半導体基板にエミッタ領域を形成する工程と、該エミッタ領域に接続するエミッタ電極を形成する工程とを含むことを特徴とするバイポーラトランジスタの製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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