特許
J-GLOBAL ID：200903044262956876
1B-3B-6B族化合物薄膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-011248
公開番号（公開出願番号）：特開平7-215704
出願日： 1994年02月02日
公開日（公表日）： 1995年08月15日
要約：
【要約】【目的】 高い配向性を有し、良質で大型の単結晶を低コストで製造することができる1B-3B-6B族化合物薄膜の製造方法を提供する。【構成】 カルコゲナイド2元化合物であるCu2Se化合物粉末と、In2Se3化合物粉末との混合粉末を圧粉成形する工程と、この成形体を約900°Cの温度で焼成してCuInSe2化合物を得る工程と、この焼成体を粉砕したものをペースト状にしてガラス基板上にスクリーン印刷し、その後、約400°Cで焼結する工程とを有する。
請求項（抜粋）：
カルコゲナイド二元化合物である1B-6B族化合物粉末と、3B-6B族化合物粉末との混合粉末を圧粉成形する工程と、この成形体を焼成して1-3-62族化合物を得る工程と、この焼成体を粉砕したものをペースト状にして基板上に塗布し、その後、焼結する工程とを有することを特徴とする1B-3B-6B族化合物薄膜の製造方法。
IPC (3件)：
C01B 19/04
, C23C 24/08
, H01L 31/04
