特許

J-GLOBAL ID：200903044265690915

半導体装置

発明者： 山根 茂美 ,  渥美 幸一郎 ,  安藤 鉄男 ,  八木 典章
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-179653
公開番号（公開出願番号）：特開平7-070675
出願日： 1984年08月21日
公開日（公表日）： 1995年03月14日
要約：

【要約】【構成】 本発明の半導体装置は、電気的結線に、Be,Sn,Zn,Zr,Ag,CrおよびFe(第1添加元素群)から選択された2種以上の元素を0.1重量%〜2重量%含有し、かつMg,Ca,希土類元素,Ti,Hf,V,Nb,Ta,Ni,Pd,Pt,Au,Cd,B,In,Si,Ge,Pb,P,Sb,Bi,SeおよびTe(第2添加元素群)から選択された1種または2種以上の元素を0.001〜2重量%含有し、残部が実質的に銅であるボンディングワイヤーを用いたことを特徴とする。【効果】 ボール接合強度が良好でかつ導電性が良好な銅系ボンディングワイヤーを用い、高い信頼性を有する半導体装置を提供することができる。

請求項（抜粋）：

電気的結線に、Be,Sn,Zn,Zr,Ag,CrおよびFe(第1添加元素群)から選択された2種以上の元素を0.1重量%〜2重量%含有し、かつMg,Ca,希土類元素,Ti,Hf,V,Nb,Ta,Ni,Pd,Pt,Au,Cd,B,In,Si,Ge,Pb,P,Sb,Bi,SeおよびTe(第2添加元素群)から選択された1種または2種以上の元素を0.001〜2重量%含有し、残部が実質的に銅であるボンディングワイヤーを用いたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

C22C 9/00 ,  H01B 1/02 ,  H01L 21/60 301

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭57-149744
  
• 特開昭59-139662