特許
J-GLOBAL ID：200903044266847001
回路内蔵受光素子の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-103879
公開番号（公開出願番号）：特開平6-314812
出願日： 1993年04月30日
公開日（公表日）： 1994年11月08日
要約：
【要約】【目的】 半導体基板の表面に、反射防止膜で覆われた受光素子と、この受光素子が光を受けて発生した信号を処理する信号処理回路とを備えた回路内蔵受光素子の作製する場合に、反射防止膜の膜厚制御を高精度に行う。【構成】 半導体基板1上に、所定の屈折率を有する反射防止膜10を設ける。受光素子領域内および信号処理回路領域内の所定の箇所に、反射防止膜10の表面側から半導体部分に至るコンタクト用開口を形成する。導電層10を設け、この導電層10をパターン加工して、受光素子および信号処理回路の配線部分12,13,21,22,11を形成するとともに、上記受光素子の受光面に導電層15を残す。反射防止膜10に対するエッチングレートに比して導電層15に対するエッチングレートが大きい所定のエッチング液を用いて、導電層15を除去する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面に、それぞれ半導体部分と配線部分とを持ち、反射防止膜で覆われた受光素子と、この受光素子が光を受けて発生した信号を処理する信号処理回路とを備えた回路内蔵受光素子の作製方法であって、上記半導体基板の表面に、上記受光素子の半導体部分と、信号処理回路の半導体部分をそれぞれ形成する工程と、上記半導体基板上に、所定の屈折率を有する反射防止膜を設ける工程と、上記反射防止膜の表面側から上記受光素子の半導体部分、上記信号処理回路の半導体部分に至るコンタクト用開口を形成する工程と、上記半導体基板上に導電層設け、この導電層をパターン加工して、上記受光素子および信号処理回路の配線部分を形成するとともに、上記受光素子の受光面に上記導電層を残す工程と、上記反射防止膜に対するエッチングレートに比して上記導電層に対するエッチングレートが大きい所定のエッチング液を用いて、上記受光面上に残された導電層を除去する工程を有することを特徴とする回路内蔵受光素子の作製方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/10 A
, H01L 27/14 Z
