特許
J-GLOBAL ID：200903044268301170
パワー半導体モジュール
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-028115
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228490
出願日： 1999年02月05日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：
【要約】【課題】モジュール実装時の反り量を低減させ、熱放散に優れた高信頼性のパワー半導体モジュールを提供する。【解決手段】モジュール周辺部以外にモジュールを固定するための1つ以上の取付け穴が設け、ボルトによって直接ベース材を固定する。【効果】モジュール実装時の反り量が低減でき信頼性を向上することができた。
請求項（抜粋）：
モジュール底面を支持する金属、又は複合材などの材質からなる放熱を兼ねたベースと、このベース上に複数個の半導体素子が接合された絶縁基板が接合され、この半導体素子を外雰囲気より遮断するための樹脂ケースで覆われた内部絶縁型のパワー半導体モジュールにおいて、モジュール周辺部以外にモジュールを固定するための1つ以上の取付け穴があり、ボルトによって直接ベースを固定することを特徴としたパワー半導体モジュール。
IPC (2件)：
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