特許
J-GLOBAL ID:200903044276083352

R-T-M-N系ボンド磁石の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 押田 良久
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-202935
公開番号(公開出願番号):特開平6-020817
出願日: 1992年07月06日
公開日(公表日): 1994年01月28日
要約:
【要約】【目的】 R-T窒化物にかわる組成を求め、3kOe以上の保磁力が得られる超微細結晶の該磁石用粉末を容易に製造でき、かつその後の粉末の取り扱いが容易で低コスト、高耐食性を有するボンド磁石の製造方法の提供。【構成】 Tを主成分としRとして少なくともPrまたはNdを含有し、かつV,Cr,Moの少なくとも1種含有し、所要組織となした粗粉砕粉をH2ガスの単独または不活性ガス(N2ガスを除く)との混合気中での加熱処理並びに所定雰囲気で加熱保持する脱H2処理を行い、所要平均粒度の粗粉砕粉のままで平均結晶粒径が0.05〜0.5μmの集合組織を有する粉体となし、窒化処理後に、樹脂と結合してしてR-T-M-N系ボンド磁石を得る。
請求項(抜粋):
R 7〜9at%(R:希土類元素の少なくとも1種で、かつPrまたはNdの1種または2種を50%以上含有)、T 76〜87at%(T:FeあるいはFeの一部を50%以下のCo、Niにて置換)、M 3.5〜17at%(M:V,Cr,Moの少なくとも1種含有あるいはさらにMの50%以下をTiにて置換)からなる鋳塊を溶体化処理後、平均粒度が20〜500μmの少なくとも80vol%以上がThMn12型結晶構造を有する化合物からなる粗粉砕粉となした後、前記粗粉砕粉を0.1〜10atm(常温換算)のH2ガスまたはそれに等しいH2分圧を有する不活性ガス(N2ガスを除く)中(但し全圧力は常温換算で10atm以下)で、500〜900°Cに30分〜8時間加熱保持し、さらにH2分圧1×10-2Torr以下にて500〜900°Cに30分〜8時間保持する脱H2処理を行い、平均結晶粒径が0.05〜0.5μmの集合組織を有する粉体となし、次に前記粉体をN2圧力0.1〜50atmのN2ガス中で300〜650°Cに30分〜6時間保持した後、冷却して、R7〜9at%、T 76〜87at%、M 3.5〜17at%、N 3〜12at%を含有し、ThMn12型構造を有する合金粉末を得たのち、該合金粉末を樹脂で結合してなることを特徴とするR-T-M-N系ボンド磁石の製造方法。
IPC (3件):
H01F 1/08 ,  C22C 38/00 303 ,  H01F 1/053
引用特許:
審査官引用 (2件)

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