特許

J-GLOBAL ID：200903044279974185

アッシング装置のクリーニング方法、アッシング装置およびその制御方法

発明者： 梶原 愼二 ,  上馬 俊之
出願人/特許権者： 芝浦メカトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 山田 文雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-317852
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124196
出願日： 2001年10月16日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：

【要約】【課題】 アッシング装置において、真空容器に付着した堆積物を能率良く除去し、クリーニング時間を短縮して装置の稼働率を上げる。【解決手段】 真空容器(10)内に反応ガスを供給しつつ真空容器(10)内を排気して真空容器(10)内を所定圧以下の雰囲気に保ちながらプラズマ放電させ、真空容器(10)の内壁の堆積物を除去する。互いに連続したプラズマ発生部(12)と反応室(14)とを有する真空容器(10)と、プラズマ発生部へ供給する反応ガスの流量を制御するガス流量制御弁(50)と、反応室から排気して真空容器内を減圧する排気ポンプ(58)と、真空容器内の真空度を検出する真空計(60)と、真空容器内に反応ガスを供給しつつ真空容器内を排気し所定ガス雰囲気に保ちながら反応ガスをプラズマ放電させ真空容器の内壁に付着した堆積物を除去するコントローラ(64)と、を備える。

請求項（抜粋）：

基板表面のレジストを真空容器内でプラズマエッチングにより剥離するアッシング装置に適用するクリーニング方法において、前記真空容器内に反応ガスを供給しつつ前記真空容器内を排気して前記真空容器内を所定圧以下の雰囲気に保ちながら反応ガスをプラズマ放電させ、前記真空容器の内壁に付着した堆積物を除去することを特徴とするアッシング装置のクリーニング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  G03F 7/42

FI (2件)：

G03F 7/42 ,  H01L 21/302 N

Fターム (17件)：

2H096AA25 ,  2H096LA06 ,  2H096LA07 ,  2H096LA08 ,  5F004AA15 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BB24 ,  5F004BD01 ,  5F004CA02 ,  5F004CB02 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB26 ,  5F004DB27