特許
J-GLOBAL ID：200903044282286052
静電誘導型半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大菅 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-015549
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218453
出願日： 1992年01月30日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】【目的】 製造工程を増加,複雑化することなく、ゲート-ソース間の逆方向サージ電圧を強くし、ドレイン-ソース間の逆方向破壊耐量の向上を図る。【構成】 N- 型エピタキシャル層33の上層のソースボンディングパッド領域39a下に、、P型ゲート領域37とは分離し、ソース電極39と導通して、周辺分離P型半導体領域47をP型ゲート領域37と同不純物濃度及び同深度で形成する。周辺分離P型半導体領域47は、N- 型エピタキシャル層33とで形成されるドレイン-ソース間の逆方向ダイオードのアノード領域となる。周辺分離P型半導体領域47と分離領域のN- 型エピタキシャル層33と近傍P型ゲート領域37cから形成される接合を、P- 型チャネル領域35とN+ 型ソース領域36間のPN接合の耐圧より低い電圧でパンチスルーするパンチスルーダイオードとして形成する。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体層の一主面近傍に所定の間隔で配設された複数の第1導電型のソース領域と、前記第1導電型の半導体層の一主面近傍に前記各第1導電型のソース領域を取り囲んで配設された第2導電型のゲート領域とを有し、前記各第1導電型のソース領域を挟んで隣接する第2導電型のゲート領域間を該第2導電型のゲート領域より薄い不純物濃度の第2導電型のチャネル領域とする静電誘導型半導体装置において、ソース電極のボンディングパッド領域下の前記第2導電型のゲート領域から一部を分離して前記ソース電極と導通された第2導電型の半導体領域を設け、前記第2導電型のゲート領域及び前記第2導電型の半導体領域の分離部分にある前記第1導電型の半導体層と前記第2導電型のゲート領域間の耐圧、及び該分離部分にある前記第1導電型の半導体層と前記第2導電型の半導体領域間の耐圧を、前記第2導電型のチャネル領域と前記第1導電型のソース領域間の耐圧より低く設定することを特徴とする静電誘導型半導体装置。
IPC (2件)：
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