特許
J-GLOBAL ID:200903044301715300

ワイヤボンディング装置及び該ワイヤボンディング装置によるワイヤボンディング方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 金田 暢之 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-146859
公開番号(公開出願番号):特開2000-340599
出願日: 1999年05月26日
公開日(公表日): 2000年12月08日
要約:
【要約】【課題】 半導体パッケージの製造において、ワイヤボンディング不良による歩留り低下を防ぐ。【解決手段】 ワイヤボンディング装置12は、プラズマジェット部50とワイヤボンディング部51とを有する。プラズマジェット部50は、外側誘電体管23と内側誘電体管22とからなる同軸の二重構造のものであり、円錐部23aには円錐状電極27を、また、内側誘電体管22内部には高周波電極26を有する。プラズマジェット部50により生成されたプラズマガスはガス噴出口25から噴出される。ワイヤボンディング部は、キャピラリ31にAuワイヤ32を供給するワイヤ供給部35と、キャピラリ31を支持するアーム駆動機構39及びアーム駆動機構39を上下左右方向に駆動させるステージ40とからなるキャピラリ駆動部37と、直流電源41に電気的に接続され、トーチ電極駆動部38により駆動されるトーチ電極34とを有する。
請求項(抜粋):
半導体チップの電極と前記半導体チップを搭載した基板の電極とをボンディングワイヤにより電気的に接続するワイヤボンディング手段と、前記ワイヤボンディング手段による接続の前に前記各電極の表面を清浄するための、外部より供給されたガスをプラズマの状態に励起させるとともに、前記プラズマを前記各電極に照射させるプラズマ発生手段とを有することを特徴とするワイヤボンディング装置。
IPC (2件):
H01L 21/60 301 ,  H01L 21/60
FI (2件):
H01L 21/60 301 G ,  H01L 21/60 301 B
Fターム (2件):
5F044AA02 ,  5F044CC01

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